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Method of synthesizing carbon nanotubes using plasma-enhanced chemical vapor deposition

机译:使用等离子体增强化学气相沉积合成碳纳米管的方法

摘要

PURPOSE: A method for preparing a carbon nanotube by using a plasma-enhanced chemical vapor deposition method is provided which mass-produces the carbon nanotubes vertically aligned on a base plate with high purity at low temperature and easily controls the diameter and the length of the carbon nanotube. CONSTITUTION: The method comprises steps of: (i) forming a catalytic metal film on a base plate; (ii) etching the catalytic metal film by using plasma generated from etching gas to form plural catalytic particles; and (iii) synthesizing carbon nanotube on the catalytic particles by a plasma-enhanced chemical vapor deposition method with supplying carbon source gas to the plural catalytic particles formed base plate.
机译:目的:提供一种通过使用等离子体增强化学气相沉积法制备碳纳米管的方法,该方法可在低温下大量生产高纯度垂直排列在基板上的碳纳米管,并易于控制碳纳米管的直径和长度。碳纳米管。组成:该方法包括以下步骤:(i)在基板上形成催化金属膜; (ii)通过使用由蚀刻气体产生的等离子体蚀刻催化金属膜以形成多个催化颗粒; (iii)通过向形成的多个催化剂粒子供给碳源气体,通过等离子化学气相沉积法在催化剂粒子上合成碳纳米管。

著录项

  • 公开/公告号KR100372334B1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20000029583

  • 发明设计人 이철진;유재은;

    申请日2000-05-31

  • 分类号C01B31/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 23:45:45

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