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LAYOUT STRUCTURE OF HIGH-SPEED RAMBUS DRAM CAPABLE OF REDUCING CHIP SIZE

机译:减小芯片尺寸的高速RAMBUS DRAM的布局结构

摘要

PURPOSE: A layout structure of a high-speed Rambus DRAM is provided to be capable of reducing an overall chip size by arranging a packet decoding logic between a DLL circuit region and a packet command input circuit region. CONSTITUTION: A packet decoding logic circuit region(200) is partially arranged between a DLL circuit region(100) and a packet command input circuit region. A part of the packet decoding logic circuit region(200) is an RQ packet decoding block. The RQ decoding block parses a packet command received through an RQ input receiver of the packet command input circuit region, and generates an internal control signal, which is synchronized with a clock signal of 400MHz from the DLL circuit region(100).
机译:目的:提供一种高速Rambus DRAM的布局结构,该结构能够通过在DLL电路区域和分组命令输入电路区域之间布置分组解码逻辑来减小整体芯片尺寸。构成:分组解码逻辑电路区域(200)部分地布置在DLL电路区域(100)和分组命令输入电路区域之间。分组解码逻辑电路区域(200)的一部分是RQ分组解码块。 RQ解码块解析通过分组命令输入电路区域的RQ输入接收器接收的分组命令,并生成内部控制信号,该内部控制信号与来自DLL电路区域的400MHz的时钟信号同步(100)。

著录项

  • 公开/公告号KR20030006224A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20010041921

  • 发明设计人 KIM HWA YONG;LIM SEONG MIN;

    申请日2001-07-12

  • 分类号G11C11/407;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 23:47:57

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