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Method for reducing stress and encroachment of sidewall oxide layer of shallow trench isolation

机译:减少浅沟槽隔离的侧壁氧化层的应力和侵蚀的方法

摘要

The invention utilizes introductions of oxygen and hydroxyl to perform an in situ steam generated process to reoxidize a conventional sidewall oxide layer and density the oxide in a shallow trench isolation. The ISSG process renders the conventional sidewall oxide layer much less stress and encroachment. The electrical property of the active regions and the isolation quality between the active regions can be assured. The ISSG process can densify the oxide in a shallow trench isolation to prevent the oxide from being lost in the following clean process.
机译:本发明利用氧气和羟基的引入来执行原位蒸汽产生过程,以重新氧化常规的侧壁氧化物层并在浅沟槽隔离中使氧化物致密。 ISSG工艺使常规的侧壁氧化物层的应力和侵蚀小得多。可以确保有源区的电特性和有源区之间的隔离质量。 ISSG工艺可以在浅沟槽隔离中使氧化物致密,以防止氧化物在随后的清洁工艺中损失。

著录项

  • 公开/公告号US6503815B1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MACRONIX INTERNATIONAL CO. LTD.;

    申请/专利号US20010920757

  • 发明设计人 SHU-YA HSU;

    申请日2001-08-03

  • 分类号H01L217/60;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:04:24

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