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Method for reducing dishing effects during a chemical mechanical polishing process

机译:在化学机械抛光过程中减少凹陷效应的方法

摘要

A method for reducing dishing effects is provided. The method is applied to polish a surface of a wafer containing a silicate film thereon. The method comprises using a polishing slurry containing organic alkyl or aryl compound with at least one hydroxyl group (i.e. ROH compound) during the process of polishing the silicate film. An organic hydrophobic layer created over the silicate film in contact with the ROH compound thus alleviates the undesirable dishing effects. The organic hydrophobic layer is thereafter cleaned using ozone-containing deionized water.
机译:提供了一种减小碟状效应的方法。该方法被应用于抛光在其上包含硅酸盐膜的晶片的表面。该方法包括在抛光硅酸盐膜的过程中使用包含具有至少一个羟基的有机烷基或芳基化合物(即ROH化合物)的抛光浆料。因此,在与ROH化合物接触的硅酸盐膜上产生的有机疏水层减轻了不希望的凹陷效应。然后使用含臭氧的去离子水清洁有机疏水层。

著录项

  • 公开/公告号US6534407B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MACRONIX INTERNATIONAL CO. LTD.;

    申请/专利号US20010871663

  • 发明设计人 CHING-YU CHANG;

    申请日2001-06-04

  • 分类号H01L213/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:06:28

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