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Method of fabricating a distributed Bragg reflector by controlling material composition using molecular beam epitaxy

机译:通过使用分子束外延控制材料组成来制造分布式布拉格反射器的方法

摘要

A distributed Bragg reflector for a vertical cavity surface emitting laser has a semiconductor material system including the elements aluminum, gallium, arsenic, and antimony. Accurate control of the composition of the semiconductor material system must be maintained to result in a distributed Bragg reflector suitable for use in a VCSEL. A method of fabricating the distributed Bragg reflector includes calibrating the incorporation of at least one of the elements into the material system as different semiconductor materials are grown on a substrate.
机译:用于垂直腔表面发射激光器的分布式布拉格反射器具有包括铝,镓,砷和锑元素的半导体材料系统。必须保持对半导体材料系统组成的精确控制,以形成适用于VCSEL的分布式布拉格反射器。一种制造分布式布拉格反射器的方法包括:随着在衬底上生长不同的半导体材料,校准将至少一个元件结合到材料系统中。

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