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Method for controlling dopant profiles and dopant activation by electron beam processing

机译:通过电子束处理控制掺杂剂分布和掺杂剂活化的方法

摘要

An improved dopant application system and method for the manufacture of microelectronic devices accurately places dopant on and within a dielectric or semiconductor surface. Diffusing and activating p-type and n-type dopants in dielectric or semiconductor substrates is achieved by means of electron beam irradiation.
机译:用于制造微电子器件的改进的掺杂剂施加系统和方法将掺杂剂精确地放置在电介质或半导体表面上和之内。通过电子束辐照实现在电介质或半导体衬底中扩散和激活p型和n型掺杂剂。

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