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机译:制造111-V族化合物半导体和111-V族化合物半导体的方法和系统
公开/公告号GB0211148D0
专利类型
公开/公告日2002-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED;
申请/专利号GB20020011148
发明设计人
申请日2002-05-15
分类号H01L21/20;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/14;C30B29/40;
国家 GB
入库时间 2022-08-22 00:23:45
机译: 具有111V复合表层的半导体器件的制造方法
机译: 111-v化合物半导体表面的硫化处理方法