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Semiconductor memory has sub word selecting circuit which switches selection of sub word selection line of memory cell array arranged on corresponding substrate plates using drivers

机译:半导体存储器具有子字选择电路,该子字选择电路使用驱动器来切换布置在相应基板上的存储单元阵列的子字选择线的选择

摘要

A sub word selecting circuit (124) provided in the semiconductor memory, switches selection of a sub word selection line of the redundant memory cell array arranged on the corresponding plates (n,n+1) of memory cell array group using redundancy sub word drivers (222a-222e). An Independent claim is included for semiconductor memory redundancy circuit replacement method.
机译:设置在半导体存储器中的子字选择电路(124)使用冗余子字驱动器来切换对存储单元阵列组的相应板(n,n + 1)上布置的冗余存储单元阵列的子字选择线的选择。 (222a-222e)。半导体存储器冗余电路更换方法包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10147201A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORP. TOKIO/TOKYO;

    申请/专利号DE2001147201

  • 发明设计人 YAMAKOSHI HIROYUKI;

    申请日2001-09-25

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:26:53

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