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A Method of New simultaneous Switching Noise Analysis and Modeling for High-Speed and High-Density CMOS IC Package Design

机译:高速,高密度CMOS IC封装设计的新型同时开关噪声分析与建模方法

摘要

PURPOSE: An SSN(Simultaneous Switching Noise) analysis and modeling method is provided to design a CMOS IC package by using the SSN model so that it can estimate an SSN of a VLSI based on a sub micron. CONSTITUTION: The method comprises the steps of determining a ground path current by considering all the circuit components such as a transistor resistance, a lead inductance, a load capacitance, an oscillation frequency of a noise signal and others, measuring a slew rate in switching devices, and measuring a slew rate of the SSN by using an alpha square law of a sub micron transistor drain current. The induced SSN model includes all the threshold circuit function and package parameters. The SSN model can be certified by a general circuit simulator. The precision of the SSN model is within a 5 % error range.
机译:目的:提供一种SSN(同步开关噪声)分析和建模方法,以通过使用SSN模型设计CMOS IC封装,以便可以基于亚微米估算VLSI的SSN。组成:该方法包括以下步骤:通过考虑所有电路组件(例如晶体管电阻,引线电感,负载电容,噪声信号的振荡频率等)来确定接地路径电流,并测量开关设备中的压摆率,并通过使用亚微米晶体管漏极电流的阿尔法平方定律来测量SSN的压摆率。诱导的SSN模型包括所有阈值电路功能和封装参数。 SSN模型可以通过通用电路模拟器进行认证。 SSN模型的精度在5%的误差范围内。

著录项

  • 公开/公告号KR20010084939A

    专利类型

  • 公开/公告日2001-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AU YOUNG SEN;SIM JONG IN;

    申请/专利号KR20010027619

  • 发明设计人 AU YOUNG SEN;SIM JONG IN;

    申请日2001-05-21

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:12:53

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