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METHOD FOR SELECTIVE DOPING OF THE INTRINSIC COLLECTOR OF A VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR BASED ON EPITAXIA

机译:基于上位性的垂直双极晶体管内在集电极的选择性掺杂方法

摘要

P The selective doping of the collector is carried out by a first dopant implantation before the epitaxy of the base and by a second implantation of dopants through the epitaxial base. Two implanted zones (SIC1, SIC2) of different widths are obtained. The transistor base is thinned and the collector resistance optimized. / P
机译:

通过在基极的外延之前进行的第一掺杂剂注入和通过外延基极的第二次掺杂剂注入来进行集电极的选择性掺杂。获得了两个宽度不同的注入区(SIC1,SIC2)。晶体管基极变薄并且集电极电阻最优化。

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