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Tax switching for a semiconductor with two tax inputs

机译：具有两个税收输入的半导体的税收转换

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A control device (20) includes a first gate control circuit (21) for supplying a control signal from a control signal inputted to an input terminal P1 to a gate G1, and a second gate control circuit (22) for supplying a control signal from a control signal inputted to the same input terminal P1 to a gate G2. The first gate control circuit (21) is provided with a delay circuit (31), and after a turn-off signal is supplied to the gate G2 for the transition from a thyristor condition to a transistor condition, a turn-off signal is supplied to the gate G1, thereby positively stopping operation of the double gate semiconductor device. IMAGE

机译：控制装置（20）包括：第一栅极控制电路（21），其用于将输入到输入端子P1的控制信号中的控制信号提供给栅极G1;以及第二栅极控制电路（22），其用于从第一输入端子P1提供控制信号。输入到同一输入端子P1的控制信号输入到门G2。第一栅极控制电路（21）设置有延迟电路（31），并且在将关断信号提供给门G2以从晶闸管状态转换为晶体管状态之后，提供关断信号。在栅极G1上施加的电压，从而肯定地停止了双栅极半导体器件的操作。 <图像>

著录项

公开/公告号DE69327071D1

专利类型
公开/公告日1999-12-30

原文格式PDF
申请/专利权人 FUJI ELECTRIC CO. LTD.;
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申请/专利号DE19936027071T
发明设计人 TERASAWA NORIHO;MIYASAKA TADASHI;NISHIURA AKIRA;NISHIURA MASAHARU;SAKURAI KENYA;OTSUKI MASAHITO;
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申请日1993-04-28
分类号H03K17/56;H03K17/693;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:40:42

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