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Electro-static discharge protection device having a threshold voltage adjustment area

机译:具有阈值电压调节区域的静电放电保护装置

摘要

A low voltage electro-static discharge protective device includes a field oxide layer on a substrate, source/drain regions beside the field oxide layer in the substrate, and a threshold voltage adjustment region under the field oxide layer. The fabricating of the protective device includes forming a pad oxide layer and a silicon nitride layer on a substrate, etching the silicon nitride layer to form an opening, forming a oxide spacer on the exposed portion of the pad oxide layer around the periphery of the opening, implanting ions into the substrate, forming a field oxide layer in the opening so that the certain type of ions form a threshold voltage adjustment region under the field oxide layer, removing the silicon nitride layer, removing the exposed pad oxide layer, and forming source/drain regions beside the field oxide layer.
机译:低压静电放电保护装置包括:基板上的场氧化层,基板中的场氧化层旁边的源极/漏极区域,以及场氧化层下方的阈值电压调整区域。保护装置的制造包括:在基板上形成垫氧化物层和氮化硅层;蚀刻氮化硅层以形成开口;在垫氧化物层的暴露部分周围的开口的周围形成氧化物隔离物。然后,将离子注入到基板中,在开口中形成场氧化层,以使某种类型的离子在场氧化层下方形成阈值电压调节区域,去除氮化硅层,去除暴露的焊盘氧化层,并形成源/场氧化层旁边的漏极区域。

著录项

  • 公开/公告号US5831311A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNITED MICROELECTRONICS CORP.;

    申请/专利号US19960764216

  • 发明设计人 CHEN-CHUNG HSU;

    申请日1996-12-13

  • 分类号H01L23/62;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:38:17

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