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Crystallization of grain boundery phases in silicon carbide ceramics

机译:碳化硅陶瓷中晶界相的结晶

摘要

A silicon carbide ceramic having crystalline grain boundary phases is prepared by heating a composition comprising silicon carbide, a silicate glass and a high metal content transition metal silicide, to a temperature of 1300° C. to 2100° C. under vacuum until oxygen is removed from the glass as SiO gas, and the glass that remains within the silicon carbide ceramic crystallizes.
机译:通过在真空下将包含碳化硅,硅酸盐玻璃和高金属含量的过渡金属硅化物的组合物加热至1300℃至2100℃的温度直至除去氧气,来制备具有晶界相的碳化硅陶瓷。气体以SiO气体的形式从玻璃中析出,残留在碳化硅陶瓷中的玻璃会结晶。

著录项

  • 公开/公告号US5665661A

    专利类型

  • 公开/公告日1997-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LANXIDE TECHNOLOGY COMPANY LP;

    申请/专利号US19950454350

  • 发明设计人 ROGER LEE KEN MATSUMOTO;

    申请日1995-06-20

  • 分类号C04B35/577;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 03:09:25

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