Z选自某些指定的芳族和稠合的环基,
m为0或1,
Ar选自某些指定的芳族基团,和
Ar'选自某些指定的芳族基团。
成像构件可以包括基底,电荷产生层和电荷传输层。
公开/公告号JP2596588B2
专利类型
公开/公告日1997-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 ゼロックス コーポレーション;
申请/专利号JP19880137174
申请日1988-06-03
分类号C07C219/34;C07C217/34;C07C323/37;C07D209/86;C07D209/88;C08G64/12;C08G65/40;C08G73/00;G03G5/07;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 03:28:43