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Dry etching process for gallium arsenide.

机译:砷化镓的干法蚀刻工艺。

摘要

PURPOSE:To perform selective dry etching which is less in working damage on GaAs of AlGaAs without using any CFC gas. CONSTITUTION:This selective dry etching method performs selective dry etching by using the mixture of chlorine gas and sulfur hexafluoride gas as the etching gas. When this selective dry etching method is applied, high selectivity is obtained without using any CFC gas at the time of performing selective dry etching of a GaAs semiconductor crystal against an AlGaAs semiconductor crystal. In addition, since no plasma polymerized film is formed, the working can be performed with low ion energy and low-damage working can be realized.
机译:目的:在不使用任何CFC气体的情况下,进行选择性干法刻蚀,以减少对AlGaAs的GaAs的工作损害。组成:这种选择性干法蚀刻方法通过使用氯气和六氟化硫气体的混合物作为蚀刻气体来执行选择性干法蚀刻。当采用这种选择性干法刻蚀方法时,在对AlGaAs半导体晶体进行GaAs半导体晶体的选择性干法刻蚀时,无需使用任何CFC气体就可以获得高选择性。另外,由于不形成等离子体聚合膜,因此可以以低离子能量进行加工,并且可以实现低损伤加工。

著录项

  • 公开/公告号DE69112592T2

    专利类型

  • 公开/公告日1996-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIPPON ELECTRIC CO JP;

    申请/专利号DE1991612592T

  • 发明设计人 MIYAMOTO HIRONOBU JP;

    申请日1991-12-18

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 03:41:32

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