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METHOD OF ANISOTROPICALLY ETCHING SILICON WAFERS AND WAFER ETCHING SOLUTION

机译:硅晶片的各向异性刻蚀方法及晶片刻蚀解决方案

摘要

An improved method for anisotropically etching the (100) crystallographic plane of silicon wafers involves immersing the wafers in an etching solution containing an aromatic compound having at least two adjacent hydroxyl groups and a polar functional group on the ring, an amine and water. A quality etch at an appreciably greater rate is achieved.
机译:各向异性蚀刻硅晶片的(100)晶面的一种改进方法包括将晶片浸入包含在环中的具有至少两个相邻的羟基和极性官能团的芳族化合物,胺和水的蚀刻溶液中。实现了明显更高的质量蚀刻。

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