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Metal-insulator-metal (MIM) capacitor-around-via structure for a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) and method of manufacturing same

机译:用于单片微波集成电路(MMIC)的金属-绝缘体-金属(MIM)绕电容器结构及其制造方法

摘要

A metal-insulator-metal (MIM) capacitor for monolithic microwave integrated circuit applications of the capacitoraround-via type having a bottom plate 36, a dielectric 40, and a top plate 44 which substantially surround, but do not physically overlay, via hole 32 and provide a low- inductance connection between a frontside MIM capacitor and a backside ground plane.
机译:一种用于环行电容器的单片微波集成电路应用的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,其底板36,电介质40和顶板44基本上包围但不物理覆盖通孔32并在正面MIM电容器和背面接地层之间提供低电感连接。

著录项

  • 公开/公告号US5208726A

    专利类型

  • 公开/公告日1993-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELEDYNE MONOLITHIC MICROWAVE;

    申请/专利号US19920860641

  • 发明设计人 THOMAS R. APEL;

    申请日1992-04-03

  • 分类号H01L39/02;H01G4/06;H05K5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 04:58:25

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