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Chemical vapor deposition with heat radiation of an insulating layer on a substrate of iii - v - material, used for the production of an mis - structure.

机译：在iii-v-材料的基材上通过绝缘层的热辐射进行化学气相沉积，用于产生不规则结构。

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The method involves the use of the same vessel to etch a III-V substrate (2), to form on this substrate at least one layer (8, 10) for protecting the surface of the substrate forming the active zone (6) of the MIS structure or even to produce the active layer by epitaxy, to deposit an insulating layer (12) by CVD at a high temperature produced by irradiating the surface of the specimen (1) with halogen lamps, and possibly to form on the insulating layer (12) a conducting layer (14) at a high temperature by irradiation with halogen lamps, thus ending up with an MIS structure. …IMAGE…

机译：该方法包括使用相同的容器蚀刻III-V族衬底（2），以在该衬底上形成至少一层（8、10），以保护形成衬底的有源区（6）的衬底表面。 MIS结构，甚至通过外延形成有源层，在高温下通过CVD沉积绝缘层（12），该绝缘层是通过用卤素灯照射样品（1）的表面而产生的，并且可能在绝缘层（ 12）通过用卤素灯辐照在高温下的导电层（14），从而以MIS结构结束。 …<图像>…

著录项

公开/公告号DE3780562T2

专利类型
公开/公告日1993-01-28

原文格式PDF
申请/专利权人 NISSIM YVES FR;BENSOUSSAN MARCEL FR;
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申请/专利号DE19873780562T
发明设计人 NISSIM YVES FR;BENSOUSSAN MARCEL FR;
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申请日1987-10-23
分类号H01L21/314;H01L21/318;H01L21/28;H01L21/316;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 05:02:19

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