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机译:差分,高速,低功耗发射极匹配逻辑目标形状金属氧化物半导体(ECL-CMOS)转换器
公开/公告号KR930005365A
专利类型
公开/公告日1993-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 존 엠.클락;
申请/专利号KR19920014034
发明设计人 밸 샌드휴;
申请日1992-08-05
分类号H03K19/00;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:04:36
机译: 低延迟互补金属氧化物半导体(CMOS)至发射极耦合逻辑(ECL)转换器,方法和装置
机译: 低延迟互补金属氧化物半导体(CMOS)发射极耦合逻辑(ECL)转换器,方法和装置