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Method for producing edge geometry superconducting tunnel junctions utilizing an NbN/MgO/NbN thin film structure

机译：利用nbN / MgO / NbN薄膜结构生产边缘几何形状超导隧道结的方法

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Disclosed is a method for fabricating an edge geometry superconducting tunnel junction device comprising two niobium nitride superconducting electrodes (14,28) and a magnesium oxide tunnel barrier (24) sandwiched between the two electrodes. The NbN electrodes are preferably sputter- deposited, with the first NbN electrode deposited on an insulating substrate maintained at about 250° to 500° C. for improved quality of the electrode.

机译：公开了一种制造边缘几何形状超导隧道结器件的方法，该器件包括两个氮化铌超导电极（14，28）和夹在两个电极之间的氧化镁隧道势垒（24）。优选地，溅射NbN电极，其中沉积在绝缘基板上的第一NbN电极保持在约250℃至500℃，以提高电极的质量。

著录项

公开/公告号US5100694A

专利类型
公开/公告日1992-03-31

原文格式PDF
申请/专利权人 THE UNITED STATES OF AMERICA AS REPRESENTED BY THE ADMINISTRATOR NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION;
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申请/专利号US19910642765
发明设计人 BRIAN D. HUNT;HENRY G. LEDUC;
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申请日1991-01-18
分类号B05D5/12;H01L39/00;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:23:07

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