首页> 外国专利> a method for the manufacture thereof and a festwertspeicher.

a method for the manufacture thereof and a festwertspeicher.

机译：一种用于制造其的方法和节日庆典。

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A MOSFET read only memory is disclosed. A silicon material directly contacts a drain of a memory cell transistor formed in a silicon substrate to obtain a low contact resistance. A drain electrode layer partially covers two oxide films which are above a gate electrode, to increase a contact area between a metal wiring layer constituting an output line and the drain electrode layer.

机译：公开了一种MOSFET只读存储器。硅材料直接接触形成在硅衬底中的存储单元晶体管的漏极，以获得低接触电阻。漏电极层部分地覆盖位于栅电极上方的两个氧化膜，以增加构成输出线的金属布线层与漏电极层之间的接触面积。

著录项

公开/公告号DE3577781D1

专利类型
公开/公告日1990-06-21

原文格式PDF
申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA KAWASAKI KANAGAWA JP;
展开▼

申请/专利号DE19853577781T
发明设计人 IWASE TAIRA C/O PATENT DIVISION;ARIIZUMI SHOJI C/O PATENT DIVISION;MASUOKA FUJIO C/O PATENT DIVISION MINATO-KU TOKYO 105 JP;
展开▼

申请日1985-02-01
分类号H01L29/54;H01L21/82;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 06:10:56

相似文献

专利
外文文献
中文文献