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Direct Monitoring A horizontal Bridgman single crystal growth device using an electric furnace

机译:直接监视使用电炉的水平Bridgman单晶生长装置

摘要

The apparatus for growing up the single crystal of the chemical semiconductor e.g. InP, CdTe, or GaAs equips a cylindrical dual crystal tube (40). The tube comprises a supporting crystal tube (27) on which a wire heater (36) is wound, and a protecting crystal tube (37). The outer wall of the tube (40) is connected to inlet (38) and outlet (39) for coolant circulation, and the inner wall is coated by a gold thin film (41). The furnaces for high temp. (28) and low temp. (29) are installed around the supporting tube (27), then the rapid heating up to 1,240 degree t. or cooling is possible in short time. The heater (36) is coated by an alumina powder.
机译:用于生长化学半导体的单晶的设备,例如,用于生长半导体的单晶。 InP,CdTe或GaAs配备了圆柱形双晶管(40)。该管包括支撑水晶管(27)和保护水晶管(37),该支撑水晶管(27)上缠绕有线加热器(36)。管(40)的外壁连接至用于冷却剂循环的入口(38)和出口(39),并且内壁被金薄膜(41)覆盖。高温炉。 (28)和低温。 (29)安装在支撑管(27)周围,然后迅速加热到1,240度。或可能在短时间内冷却。加热器(36)被氧化铝粉末覆盖。

著录项

  • 公开/公告号KR900002395A

    专利类型

  • 公开/公告日1990-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 전학제;

    申请/专利号KR19880008305

  • 发明设计人 민석기;박승철;한철원;

    申请日1988-07-05

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 06:12:47

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