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机译：各向异性的磁阻屏蔽防护磁场和电场
公开/公告号CS253802B1
专利类型
公开/公告日1987-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 MATURAKARELCS;SEDYVACLAVCS;
申请/专利号CS19850000700
发明设计人 MATURAKARELCS;SEDYVACLAVCS;
申请日1985-02-01
分类号G11B5/33;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 07:01:14
机译： 用于基于各向异性磁阻（AMR）效应或巨大磁阻（GMR）效应测量磁场的磁阻传感器
机译： 带有电磁场屏蔽装置的执行器，用于电磁或磁阻位置传感器
机译： 磁阻RAM单元具有金属位线，可向磁阻RAM单元堆栈提供外部磁场，其中有效各向异性场和磁场相对于彼此形成非零角度
