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机译：研究金属熔体表面张力的基质
公开/公告号SU700824A1
专利类型
公开/公告日1979-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 CHECHENO-INGUSHSKIJ G UNIVERSITET;
申请/专利号SU19782623193
发明设计人 OZNIEV DANIL TSU;
申请日1978-06-02
分类号G01N13/02;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 17:54:37
机译： 测定金属的几何参数的方法测定用于测量表面张力的熔融金属滴的几何参数测量熔融金属滴以测量表面张力，密度和极限润湿角，密度和极限润湿性的方法
机译： 在降低熔融金属的表面张力的同时，降低熔融金属的表面张力的同时，在低于熔融金属的温度下生产熔融金属用于金属瞬时加工的金属盐的溶液或熔体
机译： 将半导体芯片连接到金属衬底上，包括将能量束通过芯片引导到芯片和衬底之间的边界表面上以熔化衬底表面。
