首页> 外国专利> Composite - passivation glass on the basis of pbo - b deep 2 o deep 3 - (sio deep 2 - al deep 2 o deep 3) with a thermal expansion coefficient (200 - 300 degrees c) between 40 and 60.10 high - 7 / °C for silicon - semiconductor components with melting temperatures of no more than 600 degrees c.

Composite - passivation glass on the basis of pbo - b deep 2 o deep 3 - (sio deep 2 - al deep 2 o deep 3) with a thermal expansion coefficient (200 - 300 degrees c) between 40 and 60.10 high - 7 / °C for silicon - semiconductor components with melting temperatures of no more than 600 degrees c.

机译：基于pbo-b深2 o深3-（sio深2-al深2 o深3）的复合钝化玻璃，热膨胀系数（200-300摄氏度）在40至60.10之间高-7 /°硅的C-熔化温度不超过600摄氏度的半导体组件。

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公开/公告号DE2548736C3

专利类型
公开/公告日1978-05-18

原文格式PDF
申请/专利权人 JENAER GLASWERK SCHOTT & GEN. 6500 MAINZ;
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申请/专利号DE19752548736
发明设计人 BEUDT HANS-WERNER 6200 WIESBADEN;MUELLER GERD DR. 6500 MAINZ;
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申请日1975-10-31
分类号C03C3/30;C03C9/00;C03C3/10;H01L21/316;H01L23/30;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 22:03:26

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