首页> 外国专利> method of using a reaction in the vapour phase epitaxiaal do not grow a financially gaas1 - * p * - layer on a substrate and formed by application of the method voortbr obtainedengsel.

method of using a reaction in the vapour phase epitaxiaal do not grow a financially gaas1 - * p * - layer on a substrate and formed by application of the method voortbr obtainedengsel.

机译:在气相外延中使用反应的方法不在基底上生长可经济生长的gaas1-* p *-层,并且通过应用voortbr获得的方法形成。

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号NL151911B

    专利类型

  • 公开/公告日1977-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI LTD. TOKIO.;

    申请/专利号NL19700015756

  • 发明设计人

    申请日1970-10-27

  • 分类号B01J17/32;H01L21/205;H01L33/00;

  • 国家 NL

  • 入库时间 2022-08-23 00:50:08

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