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机译:磁性薄膜基质结构中气泡域的生产方法
公开/公告号JPS5115594B1
专利类型
公开/公告日1976-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19710098205
发明设计人
申请日1971-12-04
分类号H01F10/00;G11C11/14;
国家 JP
入库时间 2022-08-23 03:23:14
机译: 磁性薄膜基质结构中气泡域的生产方法