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机译:控制肖特基-边界层接触层边界层高度的方法。
公开/公告号DE2363062A1
专利类型
公开/公告日1974-07-04
原文格式PDF
申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC CO. SCHENECTADY N.Y. (V.ST.A.);
申请/专利号DE19732363062
发明设计人 GARFINKEL MARVIN;CORDES LINUS FRANCIS;
申请日1973-12-19
分类号H01L3/12;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 05:19:25
机译: 肖特基-边界层接触及其制造方法
机译: 用于确定人体组织层的实际边界的处理器,用于人体组织层的实际边界确定装置,人的无脂肪和/或无脂肪的质量估计装置,用于确定人体组织层的实际边界的方法,估计方法脂肪和/或无脂肪质量值和计算机程序
机译: 碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值