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机译:无坩埚区熔合从多晶半导体棒中培育单晶的方法
公开/公告号DE000001079593A
专利类型
公开/公告日1960-04-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DES0062123A
发明设计人 KELLER DR RER NAT WOLFGANG;
申请日1959-03-13
分类号
国家 DE
入库时间 2022-08-23 19:22:40
机译: 无坩埚区熔合从多晶半导体棒中培育单晶的方法
机译: 铁凝胶区融合法制备单晶的方法
机译: 铁合金区域熔化法从半导体材料中提取稳定剂的方法