首页> 外国专利> A process for the preparation of small distance from a large layers of different conduction types in semiconductors - bodies in the case of the alloying with the use of a test crystal

A process for the preparation of small distance from a large layers of different conduction types in semiconductors - bodies in the case of the alloying with the use of a test crystal

机译:一种从半导体中不同导电类型的大层到小距离的制备方法-在使用测试晶体进行合金化的情况下的物体

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1076822B

    专利类型

  • 公开/公告日1960-03-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE1956S051635

  • 发明设计人 ELTZE KURT;

    申请日1956-12-17

  • 分类号G01R31/26;H01L21/00;H01L21/66;H01L29/06;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 19:23:33

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