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Method for producing single crystal film of AlN material and substrate for epitaxial growth of single crystal film of AlN material

机译:ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法

摘要

Problem to be solved: to provide a novel method for producing a single crystal layer of AlN material.A method for producing a single crystalline layer of an AlN material, including transferring a single crystal seed layer of sic-6h material onto a carrier substrate of a silicon material, followed by epitaxial growth of a single crystal layer of AlN material.Diagram
机译:要解决的问题:提供一种制造AlN材料的单晶层的新方法。一种制造AlN材料的单晶层的方法,包括将单晶种子层转移到硅材料的载体基板上,然后外延生长AlN材料的单晶层。图表

著录项

  • 公开/公告号JP2021518324A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ソイテック;

    申请/专利号JP20200549815

  • 发明设计人 ギスレン;ブルーノ;

    申请日2019-03-26

  • 分类号C30B29/38;C30B25/18;C30B29/36;C30B33/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 20:16:55

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