首页> 外国专利> Two-Stage Flash Programming for Embedded Systems

Two-Stage Flash Programming for Embedded Systems

机译:嵌入式系统的两级闪存编程

摘要

Disclosed are devices and methods for improving the initialization of devices housing memories. In one embodiment, a method is disclosed comprising writing a test program to a first region of a memory device during production of the memory device; executing a self-test program in response to detecting a first power up of the memory device, the self-test program stored within the test program; and retrieving and installing an image from a remote data source in response to detecting a subsequent power up of the memory device, the retrieving performed by the test program.
机译:公开了用于改善器件壳体存储器初始化的装置和方法。 在一个实施例中,公开了一种方法,包括在生产存储装置期间将测试程序写入存储器设备的第一区域; 响应于检测到存储器设备的第一电源,在测试程序中存储的自检程序;执行自检程序; 并从远程数据源检索和安装图像响应于检测到存储器设备的后续电源,由测试程序执行的检索。

著录项

  • 公开/公告号US2021383884A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US202117409111

  • 发明设计人 GIL GOLOV;

    申请日2021-08-23

  • 分类号G11C29/12;G06F8/61;G11C11/56;G06F11/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 22:42:39

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号