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Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响

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摘要

本文研究了Si掺杂对半极性和非极性紫外LED中AlGaN外延层性能的影响,并与极性AlGaN材料作对比.本研究使用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在极性、半极性和非极性蓝宝石衬底上生长AIGaN外延层,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和霍尔效应测试仪研究Si掺杂对这些外延层的晶体结构和电学特性的影响.研究发现,由于Si原子增强了位错滑移,在a面蓝宝石衬底上生长得到的AlGaN样品的表面形貌和晶体质量均随掺Si浓度的增加而提高.并且,Si掺杂会抑制c方向生长,因此m面和r面蓝宝石衬底上生长的半极性和非极性AlGaN样品表面的褶皱明显减少.由于晶体质量的提高,生长在a面蓝宝石衬底上的极性AlGaN样品的电子迁移率和载流子浓度均随Si掺杂浓度的增加而提高.此外,生长在m面蓝宝石衬底上的半极性AlGaN样品有较高的电子浓度,这有利于制备高质量半极性AlGaN基紫外发光二极管(UV-LED).

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来源
《2015江苏照明学术年会》|2015年|1-645|共7页
会议地点南京
作者
赵见国; 王翼; 栾华凯; 杨洪权; 王书昶; 代倩; 吴自力; 张雄; 崔一平;
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作者单位

江苏省照明学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
紫外发光二极管; 氮化镓铝外延层; 晶体结构; 电学特性; 硅掺杂;

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