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在单晶硅片上电化学沉积制备镍反opal光子晶体的研究

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采用电化学沉积工艺直接向组装在单晶硅片上的聚苯乙烯胶体品体中填充金属Ni，成功制备了Ni的反opal光子晶体。采用线性扫描伏安法研究了单晶硅表面的化学刻蚀对Ni的电化学沉积过程的影响，并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射等对Ni反opal光子晶体的形貌利结构进行了观察分析。研究结果表明，对单晶硅片表面进行化学刻蚀有利于金属Ni的电化学沉积；在PS胶体晶体模扳中电化学生长的金属Ni呈多晶状态，去除模极后形成了金属Ni的有序多孔结构。

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来源
《中国空间科学学会空间材料专业委员会2011学术交流会》|2011年|126-130|共5页
会议地点银川
作者
许静; 谢凯;
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作者单位

中国空间科学学会;

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正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料和工作物质;
关键词
镍反opal光子晶体; 电化学沉积法; 单晶硅片; 化学蚀刻;

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