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快速热退火Gd2O3掺杂HfO2高k薄膜电性能及瞬时击穿分析

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利用磁控共溅方法在p型Si (001)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2 (GDH)的非晶态薄膜，GDH薄膜厚度为4.4 nm。电性能测试结果表明700℃ N2快速热退火（RTA）处理后C-V曲线的Δ VFB从170 mV降至40 mV，GDH薄膜的介电常数由19.6增至21.3，C-V曲线的弛豫现象有所减弱；I-V曲线在栅压为-1 V的漏电流密度由9.6×10-4 A/cm2降至1.3×10-5 A/cm2。对GDH栅介质的瞬时击穿研究表明正电荷的积累是造成栅介质击穿的主要原因。

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来源
《2011中国材料研讨会》|2011年|1-6|共6页
会议地点北京
作者
王小娜; 张心强; 熊玉华; 杜军; 杨萌萌;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;
关键词
磁控溅射; 非晶态薄膜; 稀土掺杂; 电性能; 击穿电压;

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