掺杂浓度对Y掺杂HfO2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用

袁秀芳

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掺杂浓度对Y掺杂HfO2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用

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cqvip:铁电存储器是铁电材料的最重要的应用,而铁电存储器一个非常重要的指标就是其运行速度,影响其运行速度的主要是铁电材料内铁电畴的极化反转速度。HfO2铁电材料作为未来铁电存储器的理想材料,了解其畴反转过程非常重要。掺杂是使HfO2薄膜产生铁电性的一个非常重要的方法,掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的铁电性能影响非常大,因此了解掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的畴反转过程(即极化反转速度)的影响对我们更好利用HfO2铁电薄膜为基础的铁电存储器非常重要。在本文中,我们利用PLD制备了Y掺杂HfO2铁电薄膜(HYO),发现了Y掺杂浓度对HYO铁电薄膜的铁电性能的影响,我们在经过测试后也发现掺杂浓度可以影响HYO铁电薄膜畴反转过程,发现了随着掺杂浓度的增加HYO铁电薄膜中铁电畴的极化反转速度增加。

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来源
《科技风》 |2019年第16期|183-184|共2页
作者
袁秀芳;
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作者单位

电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心四川成都611731;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
铁电存储器; HfO2铁电薄膜; 掺杂; 极化反转速度;

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