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一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法

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本发明公开了一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法，包括在铁电晶体材料+z面上制作出电极结构、制作+z面除电极外其他区域的选择性质子交换层、在交换层上覆盖绝缘介质层和‑z面上制作金属电极。通过本发明可以获得在极化过程中有效地压制反转畴域侧向生长的方法，解决了利用外加脉冲电压方法制作超短周期的周期性极化晶体材料时所遇到的畴域合并的难题，实现了对大厚度短周期铁电晶体材料的周期性极化，最后结果表明利用该方法所制作的周期性畴反转光栅的垂直性优越。

著录项

公开/公告号CN103901698B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-08

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院福建物质结构研究所;
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申请/专利号CN201410068517.4
发明设计人梁万国;陈怀熹;宋国才;
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申请日2014-02-27
分类号G02F1/355(20060101);
代理机构35001 福州科扬专利事务所;
代理人俆开翟
地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号
入库时间 2022-08-23 09:52:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-08

授权

授权
2014-08-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/355 申请日:20140227

实质审查的生效
2014-07-02

公开

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