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单链DNA芯片纳米力学分析的非线性弯电模型

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建立了单链DNA芯片纳米力学分析的非线性弯电模型。首先，基于非线性Poisson-Boltzmann(NLPB)方程和液晶薄膜的弯电理论，利用Fogolari修正公式，建立了DNA分子结构特征、溶液离子浓度等因素与生物膜电势、芯片宏观挠度之间的关系。其次，结合Wu的实验数据拟合了新模型参数，并将生物膜电势分布及芯片挠度变化的线性预测和非线性预测进行了比较，阐明了非线性模型的有效性，最后，考察了DNA链片断数和封装密度等因素对芯片挠度的影响。结果表明：随着DNA链片断数和封装密度的增加，芯片挠度随之逐渐增加。

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来源
《第十二届全国现代数学和力学会议》|2010年|68-73|共6页
会议地点贵阳
作者
李晶晶; 徐凌伟; 陈建中; 张能辉;
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作者单位

中国力学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类生物力学;
关键词
DNA芯片; 力学分析; 弯电模型; 挠度;

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