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n-ZnO/i-MgZnO/n-GaN异质结电致紫外发光

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采用射频磁控溅射技术制备了结构简单的n-ZnO／n-GaN同型异质结紫外发光二极管。在此基础上，于ZnO与GaN之间插入i型MgZnO层形成n-ZnO／i-MgZnO／n-GaN发光二极管，呈现出优异的紫外电致发光性能。发光峰位于368 nm附近，半岛宽约7nm，器件的阈值电压是3.0 V，根据能带结构理论研究了器件的电致发光机制。

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来源
《第十二届全国固体薄膜会议》|2010年|66-68|共3页
会议地点南宁
作者
李颂战; 方国家; 龙浩; 黄辉晖; 莫小明; 王皓宁; 赵兴中;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
ZnO; 同型异质结; 紫外; 电致发光;

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