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一种基于N-ZnO/N-GaN/N-ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法

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本发明公开了一种基于N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结的双向紫外发光二极管及制备方法，二极管包括：N‑ZnO微米线、N型GaN薄膜、PMMA保护层和合金电极；方法包括如下步骤：将两根N‑ZnO微米线平铺在N‑GaN薄膜上，旋涂PMMA保护层固定N‑ZnO微米线，至PMMA保护层漫过N‑ZnO微米线，在烘干台上使PMMA保护层凝固，然后利用O₂将PMMA保护层刻蚀至N‑ZnO微米线露出，分别在不同的N‑ZnO微米线上制备合金电极，构建N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO型异质结，构成完整的器件。本发明构建了N/N/N对称结构，器件正反向发光总量相同；器件由N型ZnO和N型GaN组成，器件发光位置为紫外区域，器件开启电压较小；N‑ZnO/N‑GaN/N‑ZnO异质结发光二极管发光中心位于371nm和385nm，紫外发光占比高于80％，器件可在交流电驱动下正常工作。

著录项

公开/公告号CN110137316B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-30

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN201910338046.7
发明设计人徐春祥;刘威;石增良;李竹新;
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申请日2019-04-25
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/08(20100101);H01L33/26(20100101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人王安琪
地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2022-08-23 11:03:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-30

授权

授权
2019-09-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20190425

实质审查的生效
2019-08-16

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