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THz波段并联电容式MEMS开关的研究

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本文针对工作在0.5THz频率下的并联电容式MEMS开关设计进行了深入探讨。结合理论分析和HFSS软件仿真，讨论了MEMS开关在0.5THz频率下的电磁特性，仿真π型并联电容式MEMS开关，最终在该频率下得到了隔离度优于-17.5dB，插损优于3.8dB的仿真结果。

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来源
《ANSYS2010中国用户大会》|2010年|12-16|共5页
会议地点上海·西安·北京
作者
于姗姗; 刘埇;
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作者单位

Ansys公司;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类设计;
关键词
电磁特性; 并联电容式开关; 隔离度; 微机电系统;

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