首页> 中文会议>第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制

高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文报道了850nm高功率垂直腔面发射激光器列阵的制备工作。为了避免衬底吸收的影响,器件采用顶发射的方式。单元器件采用六方密堆积的方式进行排列。列阵单元中心距120 μm,台面直径70 μm,分别制备了91个单元和217单元的器件,对其功率输出特性、光谱特性、功率转换效率进行了研究。在室温连续条件下,91个单元的器件功率转换效率可达23.4％;217个单元在6A下输出功率可达2184mW。这是国内首次报道顶发射的高功率垂直腔面发射激光器列阵输出功率超过2W,转换效率超过20％的实验结果。

著录项

来源
《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2010年|435-437|共3页
会议地点西安
作者
韦欣; 王青; 宋国峰; 陈良惠;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类激光器;
关键词
垂直腔面发射激光器; 顶发射; 功率转换效率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 [J] . 刘迪 ,宁永强 ,张金龙 . 光学精密工程 . 2012,第010期
2. 长春光机所研制成功了980nm高功率垂直腔面发射激光器 [J] . . 光机电信息 . 2004,第007期
3. 高功率In Ga As量子阱垂直腔面发射激光器的研制 [J] . 晏长岭 ,宁永强 ,秦莉 . 光子学报 . 2004,第9期
4. 高峰值功率808 nm 垂直腔面发射激光器列阵 [J] . 张金胜 ,刘晓莉 ,崔锦江 . 发光学报 . 2014,第009期
5. 大功率垂直腔面发射激光器列阵的热模拟及优化 [J] . 张立森 ,宁永强 ,刘迪 . 发光学报 . 2012,第011期
6. 高功率垂直腔面发射激光器输出特性计算与实验研究 [C] . 晏长岭 ,长春理工大学高功率半导体激光国防重点实验室 ,秦莉 . 第五届全国光子学大会 . 2004
7. 808nm高功率垂直腔面发射激光器阵列研究 [A] . 杨凯 . 2008

高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅