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MCVD工艺原位制备SiCf/Cf/C/Al2O3复合材料

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采用微波化学气相沉积工艺(MCVD)，以掺二氧化硅的多孔氧化铝为基体，以甲烷为碳源，在甲烷浓度为0.25，基体温度分别为1 100～1150℃的工艺条件下。原位生长气相纤维，并进一步致密，探索气相原位生长制得纤维增强复合材料的可能性。结果表明：通过微波化学气相沉积工艺可以制得气相生长SiC纤维并进一步诱导生长炭纤维，SiC纤维成六角形，外表面为层状生长的热解碳，成功实现了SiCf/Cf/C复合材料的气相原位生长制备，并进一步形成SiCf/Cf/C/Al2O3梯度复合材料。

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来源
《第九届全国新型炭材料学术研讨会》|2009年|376-379|共4页
会议地点厦门
作者
邹继兆; 曾燮榕; 黎晓华;
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作者单位

中国科学院山西煤炭化学研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类非金属复合材料;
关键词
氧化铝; 复合材料; 碳化硅; 微波化学气相沉积; 原位生长; 气相纤维;

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