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反型N/P硅外延层厚度的红外干涉测试方法

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本文介绍了用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度，并与传统磨角染色法的测试数据进行了对比。用红外干涉法测试反型N/P硅外延层厚度具有快速、准确、无损等优点，重复性实验精密度<1%。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-5|共5页
会议地点杭州
作者
李静; 何秀坤; 周智慧; 陈密惠; 卫小飞;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测试和检验;红外技术的应用;
关键词
硅外延片; 红外干涉法; 外延层厚度; 磨角染色法;

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