首页> 中文会议>第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 >硅基PN结电容的研究及分析

硅基PN结电容的研究及分析

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大PN结结面积从而增大电容量，这种方式制作的PN结电容结果简单，制作方便，理论上在反偏下电容值可调，且与现有微电子工艺兼容。经测试研究，实际制作完成的电容电容密度可达0.7~1.5nF/mm2，工作频率为200MHz至3GHz，与传统贴片电容相比，最显著特性是电容值可控可调，寄生电感小，可广泛用于中频下电子系统的退耦，滤波等。

著录项

来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-6|共6页
会议地点杭州
作者
王惠娟; 吕垚; 万里兮;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN405.7;
关键词
PN结电容; 寄生电感; 电容密度; 无源器件; 深硅刻蚀;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器 [J] . 吕垚 ,李宝霞 ,万里兮 . 电子元件与材料 . 2009,第010期
2. PN结电容与正向直流偏压的关系 [J] . 樊启勇 ,侯清润 . 物理与工程 . 2009,第001期
3. 基于侧向PN结和交趾型PN结的硅基Mach-Zehnder调制器的二阶谐波失真特性 [J] . 戚伟 ,邵海峰 ,余辉 . 发光学报 . 2016,第006期
4. 硅基PN结型光波导有效折射率的定量分析 [J] . 孙圣现 ,陈柏松 ,李雨轩 . 吉林大学学报（信息科学版） . 2021,第003期
5. PN结型硅基TiO2氧传感器的特性分析 [J] . 张辉军 ,穆长生 . 传感器与微系统 . 2006,第009期
6. 考虑箝位二极管结电容的原边箝位型移相全桥变换器研究 [C] . 姜庆 ,刘邦银 ,童文平 . 中国电工技术学会电力电子专业委员会第十五届学术年会 . -1
7. 硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究 [A] . 王乾坤 . 2018

硅基PN结电容的研究及分析

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅