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王义元; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 高博; 李鹏伟; 于跃;
中国电子学会;
中国核学会;
双极数模转换器; 偏置条件; 电离辐射效应; 退火特性; 辐照剂量; 空间电荷模型; 边缘电场效应;
机译:偏置对3CG130 PNP双极结晶体管的电离辐射效应的影响
机译:采用碳化硅双极技术的500°C 8-b数模转换器
机译:配备双双通量量子放大器的超导双极数模转换器
机译:双极运算放大器对脉冲X射线的瞬态电离辐射效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:沿双极谱的进展:从双极谱条件转化为双极I和II疾病的转化预测因子的纵向研究
机译:低剂量电离辐射的生物效应,个体敏感性在辐射效应中的作用。 =低剂量电离辐射的生物效应,个体辐射敏感性的效应
机译:高剂量率双极器件瞬态电离辐射效应模拟
机译:在半导体子结构上制造双极晶体管,或双极场效应晶体管或具有互补场效应晶体管的双极场效应晶体管的方法以及由该方法产生的器件
机译:双极隔离栅晶体管器件,包括与具有改进的漏极触点的组件场效应晶体管串联连接的隔离栅场效应晶体管
机译:具有侧壁源极-漏极触点的单栅场效应晶体管和双栅场效应晶体管的制造方法
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