摘要:针对空间应用日益增多,研究了SRAM FPGA考虑辐射效应。以典型100万门SRAMFPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验研究。单粒子试验结果是:试验用粒子最小LBT为1.66 MeV.cm2/mg,出现SEU;LET为4.17MeV.cm2/mg,出现SEFI,通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66 MeV.cm2/mg-64.8MeV.cm2/mg范围内,未出现SEL:试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常。电离总剂量辐照试验结果是:辐照累积总剂量75 Krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化。辐照到87 krad(Si),样品出现功能失效。试验数据表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI.SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障。SRAM FPGA空间应用必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是TMR配合定时重新配置(Scrubbing).关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA.