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超辐射发光二极管的总剂量辐射效应实验

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采用60COγ射线模拟源对超辐射发光二级管(SLD)模块进行了大量总剂量辐射的模拟实验，最高剂量率为50rad/s，总剂量的范围为1×105rad/Si～1×106 rad/Si，对辐照前后器件的特性参数进行了测试。结果发现，在1×106rad/si的总剂量范围内辐照后，原位测量加控温时，SLD模块的输出功率基本保持不变；移位测量无控温时，其输出功率略有下降但并不影响器件的正常工作，其他参数如I-V特性也没有发生变化.分析了SLD在该剂量范围内的辐射损伤机理以及温度因素对总剂量辐射效应的影响。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.11-17|共7页
会议地点沈阳
作者
焦健; 谭满清; 赵妙; 孙孟相;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
超辐射发光二极管; 总剂量辐射; 输出功率; 温度因素; 辐射损伤机理;

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