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SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究

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成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为300rad(Si)/s，辐照总剂量为3.2×106rad(Si)。辐照前后测量器件直流特性表明，辐照后器件饱和电流变化量为3.9％，央断电压变化量为0.6％，n值变化量为3.2％，栅漏泄漏电流基本不变。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.86-90|共5页
会议地点沈阳
作者
默江辉; 王勇; 李亮; 潘宏菽; 冯震; 蔡树军;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
γ电离总剂量辐照; 直流特性; 金属半导体场效应晶体管; 栅漏泄漏电流;

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