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光电耦合器辐射效应研究

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选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系，通过辐射对器件及材料作用过程的分析，探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。

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来源
《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2009年|p.130-133|共4页
会议地点沈阳
作者
冯展祖; 杨生胜; 王云飞; 高欣; 王健;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类耦合器、定向耦合器;
关键词
光电耦合器; 位移损伤; 辐射效应; 电离辐射效应; 损伤效应;

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